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《21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集》2003年
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CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

薛玉明  孙云  何青  李凤岩  朴英美  刘维一  周志强  李长健  
【摘要】:本论文通过实验制备得到CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2(CIGS),CdS,ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得它们的能带边失调值ΔE_c,ΔE_v。其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔE_c对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为—0298eV(高效电池的理想值范围为0~0.4eV),这对电池整体性能都不是很好。

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