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《21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集》2003年
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能带不连续性对a-Si/c-Si(HIT)异质结构光伏特性的影响

胡志华  廖显伯  刁宏伟  曾湘波  徐艳月  孔光临  
【摘要】:本文报道了运用AMPS模拟程序对a-Si:H/c-Si HIT(heterojunction with an intrinsic thin layer)异质结太阳电池数值模拟结果。研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对光伏性能的影响,并与Tanaka M等的试验结果进行了比较。为了解a-Si/c-Si界面的能带补偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同Gall S等报道的试验结果也进行了比较。结果表明,只有在较小的导带补偿(~0.18eV)和较大的价带补偿(~0.5eV)时,其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合。

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