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《中国太阳能学会2001年学术会议论文摘要集》2001年
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多晶硅晶界复合特性

孟凡英  崔容强  赵百川  陈凤翔  赵占霞  
【摘要】:正我们建立了晶界复合的理论新模型,研究了光照条件下多晶硅晶界复合特性.建立多晶硅晶粒/晶界界面能量分布的模型即晶界界面态呈高斯分布是基于下面的假设:(1)多晶硅的晶粒相同,平均尺寸为d;(2)晶界宽度远远小于晶粒尺寸d;(3)晶界空间电荷区是耗尽区,宽度为

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