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Si/TiO_2/CdS复合体系的微区形貌及I-V特性研究

刘涛  戴树玺  杜祖亮  张兴堂  刘长春  黄亚彬  李英顺  江雷  
【摘要】:正本文利用化学合成及L-B膜有序组装等技术在单晶硅上在位制备出了复合层状结构,并利用原子力显微镜(AFM)对该复合体系的表面形貌及其I-V特性进行了研究。研究表明,该复合体系表面的纳米颗粒大小比较均匀,平均约为30nm,并且排列实现了高度有序化。从反映其I-V特性的电流像来看,在静电场作用下,

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