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《中国第六届光伏会议论文集》2000年
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光照条件下多晶硅晶界复合理论研究

孟凡英  周之斌  孙铁囤  崔容强  
【摘要】:假设晶界界面态呈高斯分布,理论上研究了光照条件下多晶硅晶界的复合特性。我们认为晶界材料是非晶的,研究了光照和掺杂浓度(N_d)对晶界势垒高度(V_g)、空间电荷边缘少子的界面复合速度S(0)和有效复合速度s(w),界面复合电流密度J_R(0)的影响。结果表明在相同的光照条件△E_f下,S(0),S(w),J_R(0)随N_d的增加而增加。

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