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《中国颗粒学会第六届学术年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会论文集(上)》2008年
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化学镀浴沉积法制备ZnO薄膜之性质

楊仁傑  謝維銘  駱煒翔  徐嘉禧  方昭訓  
【摘要】:本研究利用化学镀浴沉积法(Chemical Bath Deposition,CBD)于玻璃基板上制备六方晶氧化锌薄膜,并对析镀时间为90 min及120 min所得之ZnO薄膜进行400℃-600℃快速退火热处理,探讨析镀时间与热处理温度对ZnO薄膜性质之影响。并以霍尔量测系统(HMS)量测电性、X光绕射仪(XRD)分析晶体结构、扫描式电子显微镜(SEM)与场发射扫描式电子显微镜(FESEM)观察表面形貌。实验结果显示以化学镀浴制备ZnO薄膜最佳电阻率为1.35×10~(-2)Ωcm,其载子浓度为1.33×10~(19)cm~(-3),其电子迁移率为3.46×10~1cm~2/V·sec。

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