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《第十一届中国钢铁年会论文集——S11.粉末冶金》2017年
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不同含量掺杂对Al_2O_3陶瓷显微结构及介电性能的影响

洪逍  纪箴  贾成厂  张一帆  刘博文  周川  
【摘要】:利用放电等离子烧结制得了不同含量Y_2O_3单独掺杂及不同含量Y_2O_3/Mg O共同掺杂的Al_2O_3微波介电陶瓷。本文研究发现掺杂含量的变化会影响Al_2O_3陶瓷的显微结构,从而进一步影响其介电性能。Al_2O_3陶瓷的显微结构如致密度和第二相的含量是影响其介电性能的主要因素。单独掺杂0.25 wt%Y_2O_3时,Al_2O_3陶瓷得到最优的介电性能,介电常数εr=11.3±0.2,介质损耗角tanδ稳定在10-3数量级以内。同时掺杂Y_2O_3和Mg O能进一步改善其介电性能,当两者的添加量均为0.25wt%时,得到最优值,介电常数εr=10.2±0.2,介质损耗角tanδ稳定在8×10-4以下。

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