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生长在泡沫镍基底的炸圈状四氧化三钴纳米片及其较提高的超级电容器性能

韩志成  武祥  
【摘要】:炸圈状四氧化三钴纳米片直接生长在泡沫镍基底上通过一步简单水热法合成,合成的样品作为电极材料研究其电化学行为。其中在1 mA cm~(-2)时,电极材料的面积比容量在为518 mF cm~(-2),循环6000圈后,电容滞留率保留了原始的75%。这较优异的电化学行为可能归因于以下两点,一是特有的空间结构提供了很多的电化学活性位点并且增强了电极材料和Ni基底之间的作用使离子和电子更快地传输,二是合成的电极材料具有相对较小的电阻。期待合成的炸圈状四氧化三钴纳米片在便携式电子产品和电动汽车等具有潜在的应用。

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