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《中国化学会第30届学术年会摘要集-论坛二:新型前沿交叉化学论坛》2016年
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分子电子器件中的转变电压谱研究

侯士敏  
【摘要】:转变电压谱是一种表征分子电子器件中的分子能级位置的重要谱学方法,我们利用非平衡格林函数与密度泛函理论相结合方法研究了金电极真空隧道结和分子结的转变电压特性。计算结果表明,金电极真空隧道结的转变电压决定于电极表面原子级突起6p原子轨道的局域态密度,而不是电极之间的真空势垒形状。对于金电极与巯基共轭分子形成的分子结,其转变电压决定于巯基共轭分子的最高占据轨道;但是,对于金电极与巯基饱和烷烃分子形成的分子结,其转变电压则决定于分子-电极界面的Au-S成键态。
【作者单位】:北京大学信息科学技术学院
【关键词】:分子电子学 非平衡格林函数 密度泛函理论
【分类号】:O561
【正文快照】:
分子电子器件中的转变电压谱研究@侯士敏$北京大学信息科学技术学院!北京100871转变电压谱是一种表征分子电子器件中的分子能级位置的重要谱学方法,我们利用非平衡格林函数与密度泛函理论相结合方法研究了金电极真空隧道结和分子结的转变电压特性。计算结果表明,金电极真空隧

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