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《中国化学会第九届全国无机化学学术会议论文集——G无机合成》 2015年
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铜铟镓硫硒纳米晶的合成

徐璐  江智渊  谢兆雄  
【摘要】:能源是人类社会生存和发展的基础,当今社会的能源危机已经是刻不容缓的问题。人们在努力寻求新的能量,以解决日益增长的能源需求。目前最有活力的能源领域就是太阳能中的光伏发电。第二代太阳能电池是基于薄膜技术的太阳能电池,薄膜技术的应用能较大地降低成本也能大面积进行产业化生产。目前,薄膜太阳能电池主要有非晶硅和多晶硅薄膜电池,碲化镉以及Cu In Se2薄膜电池。I-III-VI2半导体纳米晶因为具有优秀的光电属性而成为薄膜太阳能电池研究中最具潜力的材料之一其中,以铜铟镓硒(CIGS)为代表的I-III-VI2黄铜矿型化合物纳米晶尤其引人注目,成为科学家们研究无机半导体新型太阳能电池的理想体系[1]:1)I-III-VI2半导体光电转换效率高,性能稳定、抗辐射能力强,不存在光致衰退问题;2)I-III-VI2半导体已在薄膜太阳能电池中取得不俗的应用;3)不同I-III-VI2半导体的带宽变化范围大如Cu In1-xGax(SySe1-y)2(CIGSSe)的禁带宽度可以在0.98-2.40之间进行调节,为不同太阳能电池的设计提供优越条件。所以如何制备出禁带宽度可控的I-III-VI2半导体纳米晶是一项非常有意义的工作。

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1 武春方;用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器研究[D];河北师范大学;2013年
2 高娟;锌黄锡矿Cu_2ZnSnS_4的二乙烯三胺辅助法制备及其光电性能研究[D];华南理工大学;2014年
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