吲哚丁酸多孔镂空磁性分子印迹聚合物的制备
【摘要】:正磁性分子印记由于其对模板分子的高选择性和快速磁性分离的优点引起了研究人员的广泛关注。传统核壳结构磁性分子印记聚合物材料由于形状不规则、结合位点少等缺点限制了其的广泛应用。近些年来,人们发展出具有大比表面积、低传质阻力、多活性位点的多孔镂空磁性分子印迹聚合物。本文建立了一种快速制备吲哚丁酸(IBA)多孔镂空磁性分子印迹聚合物材料的方法。通过TEM、FT-IR对其进行了表征(图1)。吸附动力学和热力学研究结果证实该材料具有平衡时间短、吸附能力高的
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