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暴露高能晶面半导体纳米材料的合成及其增强的物理化学性能

杨合情  赵桦  杨帆  金荣  赵青  
【摘要】:正自从Yang等首次合成出了暴露{001}面锐钛矿结构TiO2纳米片,发现其具有增强的催化活性以来,设计合成暴露高能晶面、提高其比例成为材料合成的追求目标。我们通过水热、溶剂热、溶液的热反应、胶体化学以及CVD法合成出了暴露{001}面的CdS纳米片组装的花状纳米结构,暴露{020}面InOOH的六角星状结构,暴露{111}面NiO八面体结构,暴露{001}面的ZnO纳米片网络结构、暴露{001}InOCl纳米片和CdSe纳米片以及负载AgCl纳米颗粒NiO八面体结构,研究了它们光催化、气体敏感性能和场发射性能,结果发现InOOH的{020},CdS的{001},NiO的{111}以及InOCl{001}晶面具有增强的光催化性能,ZnO{001}面具有增强的化学传感性能。

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