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多级结构MoO_3花的制备及其醇敏性能研究

宋肖肖  徐英明  程晓丽  霍丽华  高山  赵辉  
【摘要】:正MoO3纳米材料属于n型半导体,能带间隙为2.39-2.90eV,因此在催化材料、光致变色材料和气敏材料等领域具有广阔的应用前景。本课题组采用简单的水热法制得两种纯相MoO3多级结构花(如图1所示),

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