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以N-芳基吡咯为共轭桥高分子的合成及其双光子吸收性能

李倩倩  黄静  彭鸣  钟奥书  秦金贵  李振  
【摘要】:正本文设计和合成了3个基于N-芳基吡咯的共轭高分子,它们在四氢呋喃的稀溶液中有很强的荧光和较高的量子产率。通过上转换荧光法测试其双光子截面值分别为752,1114和1869GM。研究其结构和性能的关系表明,在高分子主链中加入富电子和缺电子

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