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A Theoretical Search for the Dominant Reaction Pathway of HfO_2 Films by Atomic Layer Deposition During the Cp_2Hf(CH_3)_2 Precursor Pulse

任杰  
【摘要】:正Currently,HfO_2 as a promising candidate have been introduced in MOS devices to replace the traditional SiO_2(κ=3.9) as alternative gate dielectric materials,since its high permittivity(high-κ,κ=25),large bandgap and thermodynamic stability on silicon[1].The atomic layer deposition cycle of HfO_2 using Cp_2Hf(CH_3)_2(Cp=C_5H_5,cyclopentadienyl) as metal precursor is composed of two

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