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《第十三次全国电化学会议论文摘要集(下集)》2005年
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制备多孔硅微结构的电化学表征

吕京美  程璇  谢水奋  徐仁  
【摘要】:正硅单晶是现代半导体和大规模集成电路的基础,但由于其为间接带隙半导体,发光效率很低,在光电子学领域中的应用受到一定的限制.1990年英国科学家Canham发现多孔硅在室温下具有强烈的光致发光效应.掀起了多孔硅的研究热潮.孔硅可以通过多种电化学技术制得,不同的技术和制备条件对多孔硅微结构和形貌会产生不同的影响.多孔硅因具有很多特殊性质而有着广泛的应用,可作光电子器件和光子器件,其它材料的载体,还可作热传感器和湿敏元件.但由于多孔硅微结构的均匀性和稳定性较难控制,使出其难以实现产业化的应用,同时多孔硅的形成机理和发光机理至今仍不清楚.针对上述问题, 我们实验小组通过尝试采用不同的电化学技术来制备多孔硅,包括恒电流法,恒电压法和周期交化的电流法及周期性交化电压法.系统的考察了不同的制备技术对多孔硅生成和结构性能的影响,初步探讨了多孔硅微结构的形成机理.

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