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《第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集》2007年
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硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析

谭刚  
【摘要】:化学机械抛光(CMP)技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺。针对硅晶圆 CMP 平坦性问题,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,从中找到它们之间的优化参数,减少 CMP 工艺中的表面划伤、抛光雾、金属粒子沾污,清除残余颗粒,保证硅晶圆的平坦化质量。
【作者单位】:中国工程物理研究院电子工程研究所
【分类号】:TN305

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【参考文献】
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1 夏宗仁,李春忠,崔坤;声表面波器件用Y36°切LiTaO_3晶片表面加工研究[J];人工晶体学报;2001年04期
【共引文献】
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