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Ni-Mn-Ga薄膜制备及磁感生应变研究

李长生  陈自新  郭世海  
【摘要】:正使用直流磁控溅射方法在不同基片上制备了Ni-Mn-Ga薄膜,在22.5w功率下得到与靶成分 Ni47.9Mn33.3Ga18.8最接近的薄膜Ni49.99Mn33.38Ga16.63并发现在12w到26w范围内,随着溅射功率的增大,Ni的溅射率随着溅射功率的增加而增加,Ga的溅射率则相应减小,Mn变化不大。使用原子力显微镜对薄膜表面进行了分析,发现其为为明显岛状结构,可知薄膜为典型的核生长型,分别比

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