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界面连续性对薄膜节瘤损伤特性的影响研究

何文彦  程鑫彬  马彬  丁涛  叶晓雯  张锦龙  张艳云  焦宏飞  
【摘要】:本文主要研究了HfO2/SiO2高反膜中人工植入2um的SiO2小球所形成的节瘤的界面连续性对其损伤特性的影响。采用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了两种不同厚度的1064nm高反射膜。两种薄膜的电场分布和吸收相近;但是厚度大(约是2倍)的薄膜中,节瘤的界面连续性更好。对于这两种不同特性的人工节瘤,使用1064nm脉冲激光(脉宽10ns)进行了统计性的Raster Scan扫描测量。发现厚度大的薄膜中节瘤的初始损伤阈值更高(约为2倍),损伤过程相对缓慢。这说明对于2um直径的SiO2种子源,在我们考察的厚度范围之内,节瘤与周围膜层的连续性随着膜层厚度的增加明显改善,其抗激光辐照的稳定性也增强,初始损伤阈值随之提高。

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