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《中国光学学会2010年光学大会论文集》 2010年
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基于输入失调补偿的暗电流抑制读出电路研究

黄松垒  张伟  黄张成  方家熊  
【摘要】:InGaAs光敏元的暗电流是衡量探测器材料性能的一个重要指标。对于2.4um延伸波长InGaAs,它的暗电流比1.7um的要大2~3个数量级。本文简单介绍了InGaAs光敏芯片的暗电流、噪声和偏压的关系。光敏元的偏压越小,暗电流和噪声越小。侧重介绍了一种基于输入失调电压补偿的InGaAs暗电流抑制电路的结构。此电路有两种工作模式:失调电压补偿模式和不补偿模式。在补偿模式下,即使放大器两个输入端的失调电压达到28mv,光敏元两端电压通过补偿后可以降低到小于0.5mV。

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