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中心遮拦(Obscuration)对157nm光刻性能的影响

徐彧  李艳秋  
【摘要】:中心遮拦对157nm光刻性能的影响值得研究。本文通过光刻仿真软件PROLITH中的向量衍射模型对影响进行定性分析。仿真试验主要针对于大数值孔径的情况,将传统照明、离轴照明(OAI)和相移掩模(PSM)应用于密集线条、孤立线条以及密集接触孔以确定中心遮拦的影响。结果显示:1)中心遮拦范围小于或等于10%时对光刻性能的影响较小;2)中心遮拦对孤立线条的影响比密集线条和密集接触孔明显;3)中心遮拦范围等于20%时,交替型相移掩模不再适用。

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