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《大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集》2004年
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元素替代对层状钙钛矿Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的铁电性能影响

朱劲松  李伟  宋春花  包鹏  
【摘要】:本文在介绍几种铁电薄膜制备技术的基础上,着重介绍用元素替代方法对层状钙钛矿铁电Bi4Ti3O12(BTO)薄膜进行改性研究。用Nd或La在A位替代Bi,在B位用Nb替代Ti。在(111)Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上用MOD方法得到Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜,其Pr=27μC/cm2,Ec为157kV/cm,且在1.44×1010开关周期几乎无疲劳。而用PLD制备的Bi3.25-x/3La0.75Ti3-xNbxO12薄膜得到Pr=25μC/cm2,Ec=120kV/cm,109循环周期不疲劳的性能,适于压电、电光、微驱动器、铁电存储应用。表明元素替代是得到铁电薄膜新材料的一个好方法。

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