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量子阱半导体激光器中的g-r噪声

胡贵军  李靖  孙雅东  石英学  石家纬  
【摘要】:测量了50余只980nmInGaAsP/InGaAs/GaAlAs双量子阱半导体激光器的低频噪声。结果发现,在小注入条件下,有的器件表现出很明显的g-r噪声,但随着注入电流的增大,g-r噪声又消失。本文根据耗尽区内g-r噪声的形成机理,很好地解释了这一新的物理现象。

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