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《大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集》2004年
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高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器的电导数特性

张素梅  石家纬  齐丽云  
【摘要】:通常的DH半导体激光器,它的p-n结、非常靠近有源区或在有源区内。在器件的老化过程中,器件的暗点缺陷(DSD)和暗线缺陷(DLD)会不断增长,并向有源区移动,造成有源区中的非辐射复合中心增多,引起器件的退化,表现为器件的阈值电流变大,输出功率降低,效率下降等。设计了一种将p-n结和有源层分开的新结构的激光器,发射波长为808nm的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器。制备了p型下波导层厚度分别为0.1μm和0.3μm的器件,对器件进行了特性测试及老化实验。与通常的激光器比,器件的阈值电流和导通电压偏大,并且,0.3μm的器件比0.1μm的器件的阈值电流大,导通电压高。

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