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10Gbit/s 1310nm AlGaInAs/InP应变多量子阱DFB激光器

王任凡  沈坤  阳红涛  岳爱文  郑林  陈晓莉  
【摘要】:本文报道了采用AlGaInAs/InP材料体系制作10Gbit/s直接调制应变多量子阱DFB激光器。采用的是沟道聚酰亚胺填充倒台脊形波导结构,该激光器在室温下(25℃)阈值电流为8mA,斜率效率达到40%以上,边模抑制比大于35 dB,截止带宽(3dB)大于10GHz,并可在-10℃-85℃工作。

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