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《Hyperfine Interaction and Nuclear Solid State Physics--Proceedings of CCAST (World Laboratory) Workshop》2001年
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离子注入SOI材料的制备、性能及应用

卢殿通  
【摘要】:正SOI(Silicon On Insulator)材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料.采用这种材料制作的SOI—CMOS(Complementary Metal-Oxside-Semiconduator)电路,实现了完全介质隔离,具有无锁定、高速度、低功耗和强的抗福射能力等重要优点.因而受到世界各发达国家的高度重视.离子注入SOI材料,是把氧或氮注入硅单晶中形成绝缘埋层二氧化硅或氮化硅:即形成SIMOX(Separation by IMplamted OXygen)或 SIMNI(Separation byImplamted Nitrogen)材料,顶层硅仍保持单晶硅的性能.这种材料不但比SOS(Silicon
【作者单位】:北京师范大学低能核物理研究所
【分类号】:TN304.055

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