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《第22届炭—石墨材料学术会论文集》2010年
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薄壁开口定向氮掺杂碳纳米管的制备及其优异的场发射性能

崔同湘  吕瑞涛  康飞宇  黄正宏  王昆林  吴德海  
【摘要】:本文以乙腈为碳源,二茂铁为催化剂,用化学气相沉积(CVD)法,制备了薄壁开口定向氮掺杂的多壁碳纳米管.在780℃到860℃的生长温度范围内,随着温度的升高,碳纳米管的场发射效应增强.当生长温度为860℃时,制备碳纳米管的开启电场为0.27 V/μm,阈值电场为O.49 V/μm,增强因子为1.09×105.与其它材料相比,这种碳纳米管体现了非常优越的场发射性能.

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