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《2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集》2004年
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ICPECVD类金刚石膜沉积过程的发射光谱诊断研究

俞世吉  
【摘要】:利用发射光谱(OES)对感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)类金刚石膜过程中的各种基团进行分析,并对不同条件下薄膜沉积速率以及薄膜显微硬度进行测试。分析结果发现感应耦合等离子体源激发甲烷等离子体中存在比较突出的碳氢离子成分,从而促进形成高硬度的类金刚石膜。而且射频功率、沉积气压等沉积参数的变化对类金刚石薄膜沉积过程的中性基团、离子基团以及原子氢等成分都有着明显影响,从而最终影响薄膜沉积过程及薄膜性质。
【作者单位】:中国科学院电子学研究所
【分类号】:TB43

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