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《中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集》 2002年
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IGBT、IGCT的应用和前景

徐南屏  
【摘要】:正 最近几年来,电力半导体器件飞速发展,在大功率应用领域,尤其以IGBT和IGCT大功率开关型器件的发展尤为迅速。大功率IGBT器件额定值2400A/1200V,1800A/1800V,1500A/2500V,1200A/3300V模块在今天已相当普及应用。最近国外公司已正式推出更大功率的IGBT模块,额定参数为600A/6500V。现在IGBT功率开关器件正在进入到大功率双极型器件GTO占统治的领域和功率范围,而且正在发展更大电流和更高耐压的IGBT。结构的发展有传统的单面冷却的模块,也出现了圆并型压接式结构,有利于热的传导。

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