离子束辅助沉积立方氮化硼的试验研究
【摘要】:本文运用离子束辅助沉积法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,主要研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响。用红外光谱(FTIR)、及光电子能谱(XPS)分析技术对得到的c-BN膜进行了分析。结果指出:①合适的离子辅助能量,能够获得c-BN含量高的薄膜。②膜中c-BN的含量随真空中N_2含量提高而增加。③辅助束流对薄膜的形成影响不明显。
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