离子束辅助沉积立方氮化硼的试验研究

【摘要】：本文运用离子束辅助沉积法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,主要研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响。用红外光谱(FTIR)、及光电子能谱(XPS)分析技术对得到的c-BN膜进行了分析。结果指出:①合适的离子辅助能量,能够获得c-BN含量高的薄膜。②膜中c-BN的含量随真空中N_2含量提高而增加。③辅助束流对薄膜的形成影响不明显。

【作者单位】：中国机械工程学会表面工程研究所中国机械工程学会表面工程研究所装甲兵工程学院材料加工教研室装甲兵工程学院材料加工教研室装甲兵工程学院材料加工教研室
【基金】：国家自然科学基金(59971065)
【分类号】：TN304.055

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1	记者郭姜宁;阎鹏勋教授获多项国际先进成果[N];科技日报;2001年
2	赵瑞;阎鹏勋教授获多项国际先进成果[N];光明日报;2002年

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1	郭清秀;磁控溅射法制备立方氮化硼薄膜及原位掺硫研究[D];北京工业大学;2011年
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