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《2011中国材料研讨会论文摘要集》2011年
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双离子注入制备p型ZnO薄膜

吴永庆  王炜  吴亮  
【摘要】:正ZnO作为一种新型宽禁带半导体材料,由于其具有较大的禁带宽度和较高的激子束缚,是一种理想的短波长发光材料,在短波长发光二极管、激光器、探测器和太阳能电池等方面有着广阔的应用前景。实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜应用的关键。
【作者单位】:中国科学院上海硅酸盐研究所
【分类号】:TB383.2

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