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《2011中国材料研讨会论文摘要集》2011年
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Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge MOS电学特性分析

张心强  屠海令  杜军  
【摘要】:正本文采用脉冲激光沉积技术在在Ge村底上制备了Gd2O3-HfO2固溶(GHO)高k栅介质外延薄膜,通过HREED技术对薄膜的外延过程进行了分析。GHO与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Geand[110]GDH∥[110]Ge。对制备的GeMOS进行电学
【作者单位】:北京有色金属研究总院
【分类号】:O484.1

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