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《2011中国材料研讨会论文摘要集》2011年
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不同掺杂元素对GaN薄膜影响的研究进展

尚林  赵君芙  张华  梁建  许并社  
【摘要】:GaN是一种宽带隙直接跃迁半导体,具有高热导率,高的热稳定性,高的击穿电压,介电常数小,发光效率高等优势,因此,近年来GaN薄膜的发展非常迅速,GaN在半导体领域有着重要地位,而高质量GaN薄膜的掺杂制备一直是研究者关注的热点。本文简要概述了近年来国内外GaN薄膜掺杂Mg,Mn,In,Si等元素的研究进展,着重介绍Mg掺杂对GaN薄膜光学性能的影响,并对不同掺杂元素对GaN薄膜发光性能的影响做了分析对比。

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