收藏本站
《2011中国材料研讨会论文摘要集》2011年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

不同衬底上GaN外延薄膜生长的研究进展

王晓斌  梁建  赵君芙  张华  马淑芳  许并社  
【摘要】:近年来,宽禁带半导体GaN的发展异常迅速,GaN因其优良的物理化学特性,在蓝光和紫外光发光器件、高温大功率器件、高频微波器件、激光器等方面有着巨大的应用潜力和广阔的市场前景。目前主要是用外延生长的方式实现GaN薄膜的生长,但由于衬底材料的晶格失配和热失配等问题,高密度的位错一直是优质GaN薄膜的外延生长的瓶颈。本文重点概述在蓝宝石、Si、6H-SiC、γ-LiAlO2、GaN等常见的几种衬底上GaN薄膜生长的研究进展,根据薄膜位错理论,对位错产生的机理进行分析,总结概括了降低薄膜位错的最佳方法。

手机知网App
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 秦志新,陈志忠,周建辉,张国义;采用N_2-RF等离子体氮化GaAs(001)(英文)[J];发光学报;2002年02期
2 谢崇木;短波长半导体激光器开发动向[J];半导体情报;1998年04期
3 王艳辉,段家,姚坤,童玉珍,张国义;用多功能光栅光谱仪测定GaN膜的光学参数[J];大学物理;2001年05期
4 师庆华;;在GaAs(100)ZnSe(110)衬底上VPE生长ZnSe薄膜[J];液晶与显示;1990年03期
5 宋航,Park S H,Kang T W,Kim T W;分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性[J];发光学报;1999年02期
6 张进城,郝跃,李培咸,范隆,冯倩;基于透射谱的GaN薄膜厚度测量[J];物理学报;2004年04期
7 阎少林,方兰,司敏山,王晶,曹慧丽,周杏弟,郝建民;水对Tl_2Ba_2CaCu_2O_8外延薄膜超导电性的影响[J];低温物理学报;1996年04期
8 孙文红,王孙涛,段家忯,陈开茅,濮玉梅,王敬,秦国刚;注碳GaN的拉曼散射谱研究[J];光散射学报;1999年04期
9 张德恒,刘云燕,张德骏;用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导[J];物理学报;2001年09期
10 沈耀文,康俊勇;GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算[J];物理学报;2002年03期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 李忠辉;李亮;董逊;张岚;姜文海;;3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
2 李诚瞻;魏珂;郑英奎;刘果果;庞磊;刘新宇;;检验GaN基外延材料质量的简易方法[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
3 K.K.Leung;W.K.Fong;C.Surya;;Investigations of Hot-electron Degradations in GaN-LEDs[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
4 张洁;王笃祥;杜伟华;曾双龙;;GaN基LED产业化中的外延相关技术问题[A];第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集[C];2010年
5 崔影超;谢自力;赵红;李弋;刘斌;宋黎红;张荣;郑有炓;;a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
6 王笃祥;张洁;曾双龙;;图形衬底对GaN晶体质量的改进[A];第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集[C];2010年
7 肖红领;王晓亮;张明兰;马志勇;王翠梅;杨翠柏;唐健;冉军学;李晋闽;王占国;侯洵;;AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
8 尹以安;李述体;梅霆;范广涵;周天明;;P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
9 赵勇明;陈贵锋;陈雷英;马晓薇;白云娜;李养贤;;垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
10 ;High Quality GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrate Using High Temperature AIN Buffer Layer[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 赛迪新型材料工程咨询中心 李国强;GaN:半导体材料生力军[N];中国电子报;2002年
2 ;新一代光电材料:IT产业新动力[N];中国电子报;2002年
3 ;电子商务人才严重匮乏[N];计算机世界;2000年
4 本报记者 周蕾;“翻译”软件赢世界[N];网络世界;2001年
5 华媒;报刊如何吸引年轻读者?[N];中国新闻出版报;2002年
6 ;步入后硅材料时代[N];中国电子报;2002年
7 本报记者 史文婕;宿彦京:腐蚀每年损失我国5000亿[N];北京科技报;2006年
8 仲保;格宁保险将向中国提供帮助[N];江苏经济报;2000年
9 驻德国使馆经商处;德国汽车工业寄希望于亚洲[N];国际商报;2001年
10 卢业忠;LED市场前景光明[N];中国电子报;2000年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 龚欣;GaN异质结双极晶体管及相关基础研究[D];西安电子科技大学;2007年
2 王福学;GaN材料的缺陷分布及工艺设计对器件性能的影响研究[D];南京大学;2011年
3 徐大庆;GaN基稀磁半导体的理论与实验研究[D];西安电子科技大学;2009年
4 王如;HVPE法制备GaN体材料的研究[D];河北工业大学;2010年
5 张森;AlInN/GaN异质结薄膜生长和双沟道HEMT电学特性研究[D];哈尔滨工业大学;2011年
6 段焕涛;基于高温AIN成核层的GaN基异质结构材料生长研究[D];西安电子科技大学;2011年
7 肖宗湖;具有垂直结构和电镀金属基板的Si衬底GaN基LED研究[D];南昌大学;2010年
8 张宇;Ⅲ-Ⅴ族氮化物纳米孔材料的制备和应用[D];山东大学;2010年
9 刘芳;GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究[D];天津大学;2010年
10 孙玉芹;用于固态照明的非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长及表征[D];华中科技大学;2011年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 谢圣银;增强型GaN高电子迁移率晶体管的研究[D];电子科技大学;2010年
2 介伟伟;GaN表面缺陷及其扩散的理论研究[D];四川师范大学;2010年
3 武晓莺;X波段GaN微波单片低噪声放大器的设计[D];西安电子科技大学;2010年
4 陈睿姝;GaN/ZnO基异质结发光器件的制备与研究[D];大连理工大学;2010年
5 徐浩;GaN基材料热退火与湿法腐蚀的研究[D];西安电子科技大学;2010年
6 杨凌;GaN基LED的关键技术研究[D];西安电子科技大学;2008年
7 段超;GaN基材料和器件辐照可靠性研究[D];西安电子科技大学;2010年
8 徐超;GaN基HEMT器件按比例缩小规律的研究[D];西安电子科技大学;2010年
9 徐永宽;HVPE法制备GaN同质衬底[D];天津大学;2009年
10 秦雪雪;GaN基毫米波异质结构器件研究[D];西安电子科技大学;2010年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026