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《2011中国材料研讨会论文摘要集》2011年
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反应射频磁控溅射法制备HfTaO薄膜的结构和光学性能

苗春雨  李智  李树林  马春雨  张庆瑜  
【摘要】:正随着超大规模集成电路集成度的提高,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。高性能CMOS器件的栅介质层等效氧化物厚度(EOT)会缩小到1nm以下,传统的SiO2栅介质受隧穿效应的影响,栅漏电流过大。因此需要寻找新

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