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《2011中国材料研讨会论文摘要集》2011年
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In掺杂β-Zn_4Sb_3化合物的芯能级光电子发射谱研究

唐定国  
【摘要】:正采用X-射线光电子能谱分析方法研究了Zn位、Sb位和填隙位In掺杂β-Zn4Sb3化合物组成元素的芯能级谱。结果发现,在Sb位In掺杂Zn4Sb3-xInx(0x≤0.10)化合物中,随着In掺杂量增加,Sb3d5/2的芯能级光电子发射谱明显向低结合能方向位移,Zn2p1/2的芯能级光电
【作者单位】:武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
【分类号】:O611.3

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