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《2004年材料科学与工程新进展》2004年
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液相外延法制备弛豫铁电PZNT膜

曾新华  姚忻  秦奋  
【摘要】:采用PbO作助溶剂,我们首次在钛酸锶衬底上获得[100](001)PZNT//[100](001)STO具有规则取向的PZNT外延膜。本研究对上述结果作了SEM及XRD等表征,并对外延生长机理进行了探讨。研究发现,由于晶格匹配、回熔及氧化铅对衬底的腐蚀等问题,在氧化镁和铝酸镧单晶体衬底上很难外延生长PZNT膜。通过在钛酸锶衬底上生长一层100 nm左右的高c轴取向的PZT种膜,可以改变外延生长模式和明显改善外延膜的质量,使原来直接在钛酸锶上的岛状三维生长变为二维生长,获得了几个微米厚较完整的PZNT膜。

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