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《2004年材料科学与工程新进展》2004年
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ZnO/SiO_x纳米电缆的制备、结构和生长机理

贺建  黄运华  顾有松  张跃  戴英  纪箴  展晓元  周成  
【摘要】:以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有“心线-壳层”同轴结构的ZnO/SiOx纳米电缆。扫描和透射电镜的研究表明这种纳米电缆产量很高,长度达到数个微米,并且确认了其“心线-壳层”的独特结构。不同于以往ZnO一维纳米材料的三种快速生长方向0001,0110及2110,其ZnO芯的生长方向为[2021]。本实验中锡粉和金膜分别作为抑制剂和催化剂,通过控制锌粉的蒸发速度以及金硅共熔反应使ZnO/SiOx纳米电缆在硅基片上得到一维生长。

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