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关于抛光硅片清洗和IPA干燥技术的研究

齐旭东  熊诚雷  史舸  郭体强  王文  
【摘要】:介绍了采用OPSC溶浸式湿法化学清洗工艺,同时使用串联的SC—1槽和兆声功能来去除颗粒,使用含O3的去离子水形成均匀硅氧化膜,最后用IPA干燥。整个系统采用多功能全自动的清洗,生产出的100 mm、125 mm、150 mm抛光硅片,达到较理想的清洗效果。本文对进一步消除IPA干燥后的边缘目检缺陷(edgespot)做了几点探讨,使抛光硅片的目检缺陷降低在可控范围内。

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