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《2004年中国材料研讨会论文摘要集》2004年
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Zr元素掺杂改善MgB_2超导体磁通钉扎特性

闫果  周廉  冯勇  A.Sulpice  E.Mossang  
【摘要】:正采用Zr进行Mg位元素替代在常压条件下制备了Mg1-xZrxB2块材,采用SQUID测试了块材在不同温度和磁场条件下的磁滞回线,根据Bean模型计算了样品的临界电流密度(Jc),结果表明Zr元素掺杂在MgB2中引入了有效的钉扎中心,使Mg0.9Zr0.1B2样品的Jc高达1.2×105A/cm2(20K,2T)。扫描电镜和透射电镜结果显示Zr元素掺杂MgB2中晶粒连接性得到了改善,晶粒尺寸的细化和细小ZrB2粒子的出现是体

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