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高质量多晶Si薄膜材料的激光晶化制备和特性研究

张凤鸣  
【摘要】:多品Si薄膜因其在光伏太阳能电池和平板显示器等领域巨大的应用前景,许多年来广受关注。本文报道了作者利用激光重结晶制各高质量多晶Si薄膜材料方面的工作。实验表明.将等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶Si薄膜通过热处理结晶化以后,再利用准分子激光进行重结晶,可以得到晶体质量近乎完美的多晶Si薄膜。通过采用适当的工艺对重结晶过程的成核进行控制,可以制备晶粒尺寸非常均匀的多晶Si薄膜。在底板温度为650℃条件下,在玻璃底板上所制备的多晶Si薄膜的粒尺寸超过60μm。分别利用TEM和SIMS对所制备的多晶Si薄膜的特性作了分析研究。同时,结合到本工作,作者对国际上该方面的工作作了介绍。

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