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《2004年中国材料研讨会论文摘要集》2004年
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TEOS LPCVD工艺在硅片封闭技术中的应用

刘振淮  史舸  王文卫  王文  
【摘要】:双极、CMOS、BiCMOS DRAM等大规模集成电路多数产品工艺使用硅外延片。硅抛光片衬底中的杂质在外延高温时会向正在生长的外延层中“掺杂”或扩散,造成位错形成和微缺陷增值使外延层受到破坏。因此吸杂和封闭技术在硅抛光片制备中已被广泛应用。典型的封闭技术是在硅片背面采用化学气相沉积(CVD)方法沉积一层SiO2薄膜[3]来阻止硅片体内杂质的扩散。在早期,一般是使用APCVD的方式,即在常压下用硅烷(SiH4)和氧气、笑气或二氧化氮的氧化反应来实现该工艺[1],其它硅源的APCVD工艺也有被研究使用,但并没有发现显著的优越性[3]。70年代后,随着低压化学气相沉积(LPCVD)技术的发展,因其在厚度均匀性和成本控制方面的优势逐步被广泛应用,特别是在近几年,液态硅源硅酸乙酯(TEOS)在700℃、750℃分解的LPCVD工艺,沉积的速率可以达到200~300h/min,薄膜的厚度均匀性小于1%,这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积SiO2薄膜的主流工艺。

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