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《2004年中国材料研讨会论文摘要集》2004年
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多孔硅/Alq光电特性

李东升  杨德仁  周成瑶  阙端麟  
【摘要】:正自1990年Canham[1]首次发现了在室温下多孔硅强烈的可见光致发光以及1992年第一个多孔硅基的发光二极管[2]被研制出后,多孔硅的研究引起了人们的极大关注。但是单纯由多孔硅制备的发光二极管,由于多孔硅表面性能不稳定(悬挂键的形成和存在)[3],使得其发光效率极低、发光寿命很短,

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1 赵毅,杨德仁,周成瑶,阙端麟;多孔硅基体系发光特性研究进展[J];材料导报;2003年09期
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2 江涛;多孔硅的制备、后处理和光学生物传感器的研究[D];新疆大学;2011年
3 王庆元;多孔硅生物化学表面修饰研究[D];山东师范大学;2011年
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6 李媛媛;掺铜多孔硅的光致发光及多孔硅的光电导特性研究[D];曲阜师范大学;2004年
7 赵毅;多孔硅与有机材料复合光电特性研究[D];浙江大学;2003年
8 郭成花;多孔硅复合ZnO和CdS纳米粒子的光致发光特性[D];山东师范大学;2003年
9 王晓静;多孔硅形成机理及其荧光特性的研究[D];曲阜师范大学;2003年
10 倪梦莹;多孔硅镶嵌染料发光及电致发光特性研究[D];曲阜师范大学;2004年
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