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《2004年中国材料研讨会论文摘要集》2004年
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Tb~(3+)掺杂的AIN薄膜结构与发光性质

刘福生  刘泉林  梁敬魁  骆军  张毅  杨林涛  饶光辉  
【摘要】:正Ⅲ族氮化物GaN及AlN为直接带隙半导体,它们高的硬度、化学稳定性等特征,并在高的缺陷浓度下也具有高的光学活性。适合于制备稀土掺杂的半导体光电材料,在半导体光电器件等领域具有很大的应用前景。我们采用磁控反应溅射的方法,用Tb掺杂为1%的金属铝做靶,氮气及氩气混合作为溅射气体,在不同的溅射功率(50-250W)、不同的溅射气压(0.25~1Pa)条件下,在Si(001)基底上制备了系列Tb掺杂的AlN膜。X射线衍射分析表明,除了溅射功率为50W的薄膜是无定形外,其它薄膜均为沿(002)定向的纤锌矿型结构的AlN薄膜。薄膜的结晶度及晶粒度(20~140nm)随着溅射功率的

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