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《2004年中国材料研讨会论文摘要集》2004年
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光电器件用GaAs衬底材料的技术发展

牛沈军  王建利  丰梅霞  周传新  兰天平  
【摘要】:正一、概述GaAs材料是第二代半导体材料的代表,由于所具有的直接带隙能带结构,使其具有较高的发光效率,因此在光电器件的研制与生产中的得到了广泛应用。GaAs衬底材料在光电器件中的应用主要有两个领域:LED和LD。另外该种类GaAs材料还可用于制作APD、OEIC、光电高速开关、太阳电池等。

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