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《2002年材料科学与工程新进展(下)——2002年中国材料研讨会论文集》2002年
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直流反应磁控溅射N掺杂p型ZnO薄膜的生长及其特性

张银珠  吕建国  叶志镇  汪雷  赵炳辉  
【摘要】:ZnO是一种新型的宽禁带直接带系半导体材料,为极性半导体,呈n型。本文以NH_3为掺杂源,利用直流反应磁控溅射技术成功制备出了p型ZnO薄膜,并研究了气氛中不同的NH_3含量[NH_3/(NH_3+O_2)=0,0.25,0.50,0.75,1]对薄膜结构、光学和电学特性的影响。结果表明,在50%的NH_3含量下,其电学性能最好;p型ZnO薄膜在可见光区域也具有很高的透射率,为90%,室温下光学带宽约为3.21 eV。当NH_3含量为100%时,生成的薄膜为Zn膜,呈多晶状态,没有得到Zn_3N_2薄膜。同时首次在p-Si(100)衬底上制备出了ZnO的同质p-n结。

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