《2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集》2002年

直流反应磁控溅射N掺杂p型ZnO薄膜的生长及其特性

【摘要】：ZnO是一种新型的宽禁带直接带系半导体材料,为极性半导体,呈n型。本文以NH_3为掺杂源,利用直流反应磁控溅射技术成功制备出了p型ZnO薄膜,并研究了气氛中不同的NH_3含量[NH_3/(NH_3+O_2)=0,0.25,0.50,0.75,1]对薄膜结构、光学和电学特性的影响。结果表明,在50%的NH_3含量下,其电学性能最好;p型ZnO薄膜在可见光区域也具有很高的透射率,为90%,室温下光学带宽约为3.21 eV。当NH_3含量为100%时,生成的薄膜为Zn膜,呈多晶状态,没有得到Zn_3N_2薄膜。同时首次在p-Si(100)衬底上制备出了ZnO的同质p-n结。

【作者单位】：浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学硅材料国家重点实验室
【基金】：国家重大基础研究项目基金(No.G20000683)。
【分类号】：TB43

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