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Si_3N_4(SiC_w)/BN层状陶瓷材料的高温蠕变行为研究

赵世柯  黄勇  汪长安  李翠伟  昝青峰  
【摘要】:采用轧膜—浸涂—热压烧结方法制备了Si_3N_4(SiC_w)/BN层状陶瓷材料。在空气气氛中1100~1300℃温度范围内用三点弯曲法考查了其蠕变行为。结果表明,Si_3N_4(SiC_w)/BN层状材料的抗高温蠕变性能与Si_3N_4(SiC_w)块体材料相当。良好的抗蠕变性能在于BN界面层的引入破坏了控制蠕变变形玻璃相的完整性和连续性,另一方面,BN界面层在烧结过程中可以吸收基体层中的液相,起到净化晶界的作用。在1150~1200℃左右,Si_3N_4(SiC_w)块体材料观察到一明显的蠕变“硬化”现象,这可能是由晶界玻璃相析晶造成的。

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