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《2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会论文集》2000年
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利用掺In改善初期生长GaN的形貌及光学性质

袁海荣  陆大成  刘祥林  陈振  王晓晖  韩培德  汪度  
【摘要】:为了研究掺In对初期生长GaN的影响,我们采用3min短时间生长掺In及不掺In样品对照。生长在低压金属有机物气相外延系统中进行。原子力显微镜观察揭示掺In改变了晶核的形貌,原子力显微镜及光透射实验表明掺In促进了缓冲层与成核层间的浸润。低温光荧光实验表明掺铟改善了光学性质。在生长时间为20min的样品中,X光衍射证实掺In提高了结晶质量。对掺In效应的机制作了讨论。

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