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《2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会论文集》2000年
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ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的MOCVD生长

毕朝霞  张荣  李卫平  殷江  沈波  周玉刚  陈鹏  陈志忠  顾书林  施毅  刘治国  郑有(火斗)  
【摘要】:研究了直接在ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜。利用脉冲激光淀积法在α-Al_2O_3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜,对ZnO/α-Al_2O_3样品高温退火得到了具有ZnAl_2O_4覆盖层的α-Al_2O_3衬底,并在此衬底上利用光加热低压MOCVD法生长了纤锌矿结构GaN。X射线衍射谱表明ZnAl_2O_4层为(111)取向。扫描电子显微照片显示随退火时间的增加,ZnAl_2O_4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构,相应的GaN X射线衍射谱表明GaN由c轴单晶变为多晶。结果表明薄ZnAl_2O_4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核。

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