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《2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会论文集》2000年
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原位气相沉积制备MoSi_2涂层的研究

孙锡军  刘福顺  徐惠彬  周春根  
【摘要】:本论文着重研究了在钼基体上用包埋渗法制奋MoSi_2涂层的工艺。通过不断的实验和尝试,已成功地在钼基体上制备出了相当厚度的MoSi_2涂层。涂层的厚度与温度成正比关系,温度升高,厚度也随之增加。

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